FAIRCHILD*童*原装场效应管 FDP3632

地区:广东 深圳
认证:

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FAIRCHILD*童*原装正品场效应管 FDP3632

FAIRCHILD*童*原装正品场效应管 FDP3632

 

 FDP3632产品规格  参数

数据列表 FDB3632, FDH3632, FDI3632, FDP3632
 
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品目录绘图 MOSFET TO-220AB
 
标准包装 400
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 100V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 80A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 9 毫欧 @ 80A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  6000pF @ 25V
 
功率 - *大 310W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)
 

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FDP3632

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)