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产品属性
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FAIRCHILD*童*原装正品场效应管 FDP3632
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FDP3632产品规格 参数
数据列表 FDB3632, FDH3632, FDI3632, FDP3632
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图 MOSFET TO-220AB
标准包装 400
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 PowerTrench®
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 80A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 9 毫欧 @ 80A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6000pF @ 25V
功率 - *大 310W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1605 (CN2011-ZH PDF)
FAIRCHILD/*童
FDP3632
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)