原装/拆机功率场效应管SIHG20N50C SIHG20N50C-E3

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产品特点

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET 功率

RoHS:   详细信息

晶体管*性: N-Channel

电阻汲*/源* RDS（导通）: 0.225 Ohms

正向跨导 gFS（*大值/*小值） : 6.4 S

汲*/源*击穿电压: 500 V

闸/源击穿电压: 30 V

漏*连续电流: 20 A

功率耗散: 292 W

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247

封装: Tube

栅*电荷 Qg: 65 nC

VISHAY
产品

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我们的公司：
深圳市福田区宏诚辉电子商行*代理、分销*原装世界知名品牌单片机、集成电路IC、二三*管、电阻电容和模块，主要产品有：ATMEL、NXP/PHI、ST、TI、ON、AD、INTERSIL、TOREX、SAMSUN、NS、国*、厚声等品牌，并有*渠道订购偏冷门和停产IC。
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深圳宏诚辉电子商行实力雄厚，重信用、守合同、*产品质量，以多品种经营特色和薄利多销的原则，*了广大客户的信任。

我司还为工厂,外贸客户提供*的配套服务,希望与各新老客户建立长期的合作关系,谢谢!

品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

SIHG20N50C SIHG20N50C-E3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

22（V）

夹断电压

22（V）

跨导

22（μS）

*间电容

22（pF）

低频噪声系数

22（dB）

漏*电流

22（mA）

耗散功率

22（mW）