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INFINEON英飞凌*原装MOS场效应管 SPP80N08S2L-07 2N08L07
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SPP80N08S2L-07 2N08L07产品规格 参数
数据列表 SP(P,B)80N08S2L-07
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏*至源*电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 80A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 7.1 毫欧 @ 67A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 233nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6820pF @ 25V
功率 - *大 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 P-TO220-3
包装 管件
其它名称 SP
CER-DIP/陶瓷直插
SPP80N08S2L-07 2N08L07
GaAS-FET砷化镓
MW/微波
INFINEON/英飞凌
N沟道
结型(JFET)
耗尽型