ST品牌场效应管 STP6NC60FP

制造商: STMicroelectronics

RoHS: 否

配置: Single

晶体管*性: N-Channel

电阻汲*/源* RDS（导通）: 1.2 Ohms

汲*/源*击穿电压: 600 V

闸/源击穿电压: +/- 30 V

漏*连续电流: 6 A

功率耗散: 40 W

*大工作温度: + 150 C

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP

封装: Tube

*小工作温度: - 65 C

Standard Pack Qty: 50

品牌

ST/意法

型号

STP6NC60FP

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

22（V）

夹断电压

22（V）

跨导

22（μS）

*间电容

22（pF）

低频噪声系数

22（dB）

漏*电流

22（mA）

耗散功率

22（mW）