IXYS*原装场效应二三*管 IXTH30N50P

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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IXYS*原装正品场效应二三*管 IXTH30N50P

 

IXYS*原装正品场效应二三*管 IXTH30N50P

 

IXTH30N50P产品规格  参数

 

Datasheets IXT(H,Q,T,V)30N50P(S)
Product Photos IXTH30N50P
Catalog Drawings TO-247AD 3-Leads
Standard Package 30
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series PolarHV™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 4150pF @ 25V
Power - Max 460W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-247-3
Supplier Device Package TO-247AD
Packaging Tube
Catalog Page 1406 (US2011 Interactive)
1406 (US2011 PDF)

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品牌

IXY美国电报半导体

型号

IXTH30N50P

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)