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产品属性
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.29 Ohms
汲*/源*击穿电压: 800 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏*连续电流: 17 A
功率耗散: 208 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 240
*件号别名: SPW17N80C3XK
INFINEON/英飞凌
SPW17N80C3
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)