**场效应管 FQA38N30 【*童优势供应】 现货

地区:广东 深圳
认证:

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**场效应管 FQA38N30  【*童优势供应】

 

**场效应管 FQA38N30  【*童优势供应】

 

FQA38N30产品规格  参数

 

数据列表 FQA38N30
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011
 
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 300V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 38.4A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  4400pF @ 25V
 
功率 - *大 290W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
 
供应商设备封装 TO-*N
 
包装 管件
 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

FQA38N30

材料

SENSEFET电流敏感

用途

MW/微波

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

种类

结型(JFET)

导电方式

增强型