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产品属性
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FQA38N30产品规格 参数
数据列表 FQA38N30
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 38.4A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4400pF @ 25V
功率 - *大 290W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
供应商设备封装 TO-*N
包装 管件
CER-DIP/陶瓷直插
FQA38N30
SENSEFET电流敏感
MW/微波
FAIRCHILD/*童
MOSFET N 通道,金属氧化物
结型(JFET)
增强型
全新原装 AH3763Q-P-B DIODES 优势热卖
全新原装 AH3765Q-P-B DIODES 优势库存
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DIODES/美台 BCX5316TA 晶体管
FAIRCHILD*童*原装场效应 FFPF20UP20DN F20UP20DN
**原装 供应 11N80C3 SPW11N80C3 *
代理分销 Vishay 场效应管 IRFPS37N50A IRFPS37N50APBF现货
PHILIPS*原装*场效应管BT139-600E BT139
美国AOS场效应管 AOD404 *原装 现货
供应**IRF7313TRPBF IR场效应管