**原装 供应 11N80C3 SPW11N80C3 *

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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**原装 *供应 11N80C3  SPW11N80C3

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11N80C3  SPW11N80C3产品规格 参数

 

数据列表 SPW11N80C3
 
产品相片 TO-247 Pkg
 
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
 
产品目录绘图 Mosfets TO-247
 
标准包装 240
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 800V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 11A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 450 毫欧 @ 7.1A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 3.9V @ 680µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 85nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1600pF @ 100V
 
功率 - *大 156W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 PG-TO247-3
 
包装 管件
 
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 SP
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XK
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XTIN-ND
 

品牌

INFINEON/英飞凌

型号

11N80C3 SPW11N80C3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)