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**原装 *供应 11N80C3 SPW11N80C3
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11N80C3 SPW11N80C3产品规格 参数
数据列表 SPW11N80C3
产品相片 TO-247 Pkg
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-247
标准包装 240
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准型
漏*至源*电压(Vdss) 800V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 11A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 450 毫欧 @ 7.1A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 3.9V @ 680µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 85nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1600pF @ 100V
功率 - *大 156W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 PG-TO247-3
包装 管件
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SP
SPW11N80C3IN
SPW11N80C3X
SPW11N80C3XK
SPW11N80C3XTIN
SPW11N80C3XTIN-ND
INFINEON/英飞凌
11N80C3 SPW11N80C3
结型(JFET)
N沟道
增强型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
*肖特基势垒栅
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)