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2SC3866原装供应

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市德逸创科技有限公司

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数据列表2SC3866
产品相片TO-220
产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB
标准包装50
类别分离式半导体产品
属性FET - 单
系列HEXFET®
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
漏*至源*电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏*(Id)
  @ 25° C		33A
开态Rds（*大）@ Id,
  Vgs @ 25° C		44 毫欧 @ 16A, 10V
Id 时的
  Vgs(th)（*大）		4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @
  Vds		1960pF @ 25V
功率 - *大130W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
安装类型通孔
"
封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

2SC3866

材料

M*金属半导体

用途

MOS-TPBM/三相桥

品牌/商标

FUJI/富士通

沟道类型

P沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

增强型

属性

属性值