20ETF10百分百原装
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 数据列表 | 20ETF10 |
| 制造商 | IR |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分离式半导体产品 |
| 属性 | 数据采集-数模转换器 |
| 系列 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 设置时间 | 2.5µs |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 150V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 104A |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 11 毫欧 @ 62A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（*大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 5270pF @ 50V |
| 功率 - *大 | 380W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
CER-DIP/陶瓷直插
20ETF10
MOS-TPBM/三相桥
IR/国际整流器
P沟道
结型(JFET)
增强型
属性值
