IR2110*十
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
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| 产品型号 | IR2110 |
| 标准包装 | 1000 |
| 原厂类别 | 分离式半导体产品 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准型 |
| 漏*至源*电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 23A |
| 开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 117 毫欧 @ 14A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（*大） | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 110nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V |
| 功率 - *大 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOP16 |
| 供应商设备封装 | SOP16 |
| 包装 | 带卷 |
IR/国际整流器
IR2110
结型(JFET)
P沟道
增强型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
属性值
