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IGBT管 IHW20N120R3 H20R1203 *原装英飞凌公司 40A 1200V

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司

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規格書產品相片標準包裝類別家庭系列IGBT類型電壓 - 集電極發射極擊穿（*大值）Vge, Ic時的*大Vce（開）電流 - 集電極(Ic)（*大值）功率 - *大輸入類型安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
IHW20N120R3
TO-247 Pkg
240
離散半導體產品
IGBT - 單路
TrenchS*™
Trench
1200V
1.7V @ 15V, 20A
40A
310W
標準
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
管裝
規格書產品相片標準包裝類別家庭系列IGBT類型電壓 - 集電極發射極擊穿（*大值）Vge, Ic時的*大Vce（開）電流 - 集電極(Ic)（*大值）功率 - *大輸入類型安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
IHW20N120R3
TO-247 Pkg
240
離散半導體產品
IGBT - 單路
TrenchS*™
Trench
1200V
1.7V @ 15V, 20A
40A
310W
標準
通孔
TO-247-3
PG-TO247-3
管裝
品牌

INFINEON/英飞凌

型号

IHW20N120R3

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

HF/高频(射频)放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1200（V）

夹断电压

1200（V）

跨导

220（μS）

*间电容

200（pF）

低频噪声系数

10040（dB）

漏*电流

20000（mA）

耗散功率

1000（mW）