IRLL014NTRPBF LL014N SOT-223 原装无铅 IRLL014TRPBF

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝產品目錄頁面其他名稱

IRLL014PBF

SOT-223

IR(F,L)L Series Top
IR(F,L)L Series Side

2,500

離散半導體產品

FET - 單路

-

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

200 毫歐姆 @ 1.6A, 5V

60V

2.7A

2V @ 250µA

8.4nC @ 5V

400pF @ 25V

2W

表面黏著式

TO-261-4, TO-261AA

編帶和捲軸封裝(TR)

SOT-223

1537 (TW2010-11 PDF)

IRLL014PBFTR

品牌

IR/国际整流器

型号

IRLL014TRPBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

HA/行输出级

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

60（V）

夹断电压

27（V）

跨导

10（μS）

*间电容

20（pF）

低频噪声系数

10（dB）

漏*电流

270（mA）

耗散功率

2000（mW）