FDS6614A *原厂 *现货 SOP-8

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数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

FDS6614A

8-SOIC Pkg

High Voltage Switches for Power Processing

Mold Compound Change 12/Dec/2007
Product Discontinuation 09/Sept/2008

2,500

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

PowerTrench®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

18 毫欧 @ 9.3A, 10V

30V

3V @ 250µA

17nC @ 5V

9.3A

1160pF @ 15V

表面贴装

8-SOIC（3.9mm 宽）

带卷 (TR)

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDS6614A

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

D/变频换流

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

1.0（V）

低频跨导

3（μS）

*间电容

5（pF）

低频噪声系数

6（dB）

漏*电流

9.3A（mA）

耗散功率

3000（mW）