FDV303N BSS138 BSS123 FAIRCHILD公司小功率MOS管 SOT-23封装

規格書產品相片產品培訓模組產品變化通告產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱

FDV303N

SOT-23

High Voltage Switches for Power Processing

Mold Compound Change 12/Dec/2007

SuperSOT-3, SOT-23

1

離散半導體產品

FET - 單路

-

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V

25V

680mA

1.5V @ 250µA

2.3nC @ 4.5V

50pF @ 10V

350mW

表面黏著式

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SOT-23

絕緣帶封裝(*)

1632 (TW2011-ZH PDF)

FDV303N*規格書產品相片產品培訓模組產品變化通告產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝產品目錄頁面其他名稱

FDV303N

SOT-23

High Voltage Switches for Power Processing

Mold Compound Change 12/Dec/2007

SuperSOT-3, SOT-23

1

離散半導體產品

FET - 單路

-

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

450 毫歐姆 @ 500mA, 4.5V

25V

680mA

1.5V @ 250µA

2.3nC @ 4.5V

50pF @ 10V

350mW

表面黏著式

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

SOT-23

絕緣帶封裝(*)

1632 (TW2011-ZH PDF)

FDV303N*

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FDV303N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

L/功率放大

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

25（V）

夹断电压

25（V）

跨导

10（μS）

*间电容

10（pF）

低频噪声系数

10（dB）

漏*电流

10（mA）

耗散功率

100（mW）

FDV303N BSS138 BSS123 FAIRCHILD公司 小功率MOS管 SOT-23封装

FDV303N BSS138 BSS123 FAIRCHILD公司小功率MOS管 SOT-23封装