ZXMN6A11GTA 场效应管ZETEX

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規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)Id時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ Vgs電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝產品目錄頁面其他名稱

ZXMN6A11G SERI*

SOT-223-4 Pkg

SOT-223
SOT-223 Footprint

1,000

離散半導體產品

MOSFET，GaNFET - 單

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

120 毫歐姆 @ 2.5A, 10V

60V

1V @ 250µA

5.7nC @ 10V

3.1A

330pF @ 40V

表面黏著式

SOT-223（3引線 + 接頭），SC-73，TO-261AA

編帶和捲軸封裝(TR)

1380 (TW091-10 PDF)

ZXMN6A11GTR

品牌

Zetex/捷特科

型号

ZXMN6A11GTA

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

60（V）

夹断电压

60（V）

低频跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

2000（mW）