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IRF7832TRPBF F7832 SOP-8 IR原装公司 30V 20A 2N-CH

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司

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規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝產品目錄頁面其他名稱
IRF7832PbF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
4,000
離散半導體產品
FET - 單路
HEXFET®
MOSFET N通道，金屬氧化物
邏輯電平閘極
4 毫歐姆 @ 20A, 10V
30V
20A
2.32V @ 250µA
51nC @ 4.5V
4310pF @ 15V
2.5W
表面黏著式
8-SOIC （0.154", 3.90mm寬）
編帶和捲軸封裝(TR)
8-SO
1533 (TW2010-11 PDF)
IRF7832PBFTR
品牌

IR/国际整流器

型号

IRF7832TRPBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

30（V）

跨导

20（μS）

*间电容

2（pF）

低频噪声系数

2（dB）

漏*电流

2000（mA）

耗散功率

100（mW）