IRF7811*PbF IRF7811 SOP-8 IR公司原装*

規格書產品相片產品目錄繪圖標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼封裝供應商設備封裝產品目錄頁面其他名稱

IRF7811*PbF

8-SOIC

IR Hexfet 8-SOIC

4,000

離散半導體產品

FET - 單路

HEXFET®

MOSFET N通道，金屬氧化物

邏輯電平閘極

14 毫歐姆 @ 15A, 4.5V

30V

10.8A

3V @ 250µA

26nC @ 5V

1801pF @ 10V

2.5W

表面黏著式

8-SOIC （0.154", 3.90mm寬）

編帶和捲軸封裝(TR)

8-SO

1533 (TW2010-11 PDF)

IRF7811*PBFTR
IRF7811*TRPBF-ND
IRF7811*TRPBFTR-ND

品牌

IR/国际整流器

型号

IRF7811*TRPBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MIN/微型

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

10（V）

跨导

1020（μS）

*间电容

20（pF）

低频噪声系数

20（dB）

漏*电流

012（mA）

耗散功率

10（mW）

IRF7811*PbF IRF7811 SOP-8 IR公司 原装*

IRF7811PbF IRF7811 SOP-8 IR公司原装