SVD2N60M SVD2N60F 600V N 沟道增强型场效应管 TO-251
地区：广东 深圳
认证：
无
图文详情
产品属性
相关推荐
SVD2N60M
描述
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的平面VDMOS 工艺技术制造。*的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、*的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
特点
? 2A，600V，RDS(on)=4.6Ω@VGS=10V
? 低栅*电荷量
? 低反向传输电容
? 开关速度快
? *了dv/dt 能力
SILAN/士兰微
SVD2N60M
结型(JFET)
N沟道
增强型
D-G双栅四*
LLCC/无引线陶瓷片载
GE-N-FET锗N沟道
600（V）
20（V）
10（μS）
1（pF）
101（dB）
520（mA）
1014（mW）
