FQPF12N60C 12A 600V *童原装

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装

FQP12N60C, FQPF12N60C

TO-220F Pkg

High Voltage Switches for Power Processing

P*ivation Material Change 14/May/2008

1,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

QFET™

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

650 毫欧 @ 6A, 10V

600V

4V @ 250µA

63nC @ 10V

12A

2290pF @ 25V

51W

通孔

TO-220-3 全封装（直引线）

管件

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FQPF12N60C

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

600（V）

夹断电压

10（V）

低频跨导

120（μS）

*间电容

120（pF）

低频噪声系数

0.4（dB）

漏*电流

12000（mA）

耗散功率

5100（mW）