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供应 场效应管IRFB3206原装*

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司

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IRFB3206

 

  • 场效应管 MOSFET N沟道 60V TO-220AB
  • 晶体管*性:ñ频道
  • 电流, Id 连续:210A
  • 电压, Vds *大:60V
  • 在电阻RDS（上）:3mohm
  • 电压 @ Rds测量:10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
  • 功耗, Pd:300W
  • 封装类型:TO-220AB
  • 针脚数:3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
  • 功率, Pd:300W
  • 功耗:300mW
  • 器件标号:3206
  • 封装类型:TO-220AB
  • 栅*电荷 Qg N沟道:120nC
  • 漏*电流, Id *大值:210A
  • 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
  • 电压, Vds 典型值:60V
  • 电压, Vgs *高:4V
  • 电流, Idm 脉冲:840A
  • 表面安装器件:通孔安装
  • 阈值电压, Vgs th :2V
  • 阈值电压, Vgs th *高:4V
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB3206

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

CHIP/小型片状

材料

GE-P-FET锗P沟道