供应 场效应管IRFR9120N原装*

场效应管 MOSFET P D-PAK -100V -6.5A

• 晶体管*性:P通道
• 电流, Id 连续:6.6A
• 电压, Vds *大:100V
• 在电阻RDS（上）:480mohm
• 电压 @ Rds测量:-10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:-4V
• 功耗, Pd:40W
• 封装类型:D-PAK
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• SMD标号:IRFR9120N
• 功率, Pd:40W
• 功耗:40W
• 封装类型:DPAK
• 封装类型, 替代:D-PAK
• 漏*电流, Id *大值:-6.6A
• 热阻, 结至外壳 A:3.2°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:-10V
• 电压, Vds 典型值:100V
• 电压, Vgs *高:20V
• 电流, Idm 脉冲:26A
• 表面安装器件:表面安装
• 阈值电压, Vgs th *高:-4V