供应 场效应管IRFZ34N原装*

数据列表 IRFZ34NPbF
 
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
 
产品目录绘图 IR Hexfet TO-220AB
 
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 55V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 29A
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 40 毫欧 @ 16A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 34nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 700pF @ 25V
 
功率 - *大 68W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1518 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRFZ34NPBF