供应 场效应管IRFB3207原装*

场效应管 MOSFET N 75V TO-220AB

• 晶体管*性:ñ频道
• 电流, Id 连续:170A
• 电压, Vds *大:75V
• 在电阻RDS（上）:4.1mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 功耗, Pd:300W
• 工作温度范围:-55°C 到 +175°C
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• 功率, Pd:300W
• 功耗:300mW
• 器件标号:3207
• 封装类型:TO-220AB
• 栅*电荷 Qg N沟道:120nC
• 漏*电流, Id *大值:120A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:75V
• 电压, Vgs *高:20V
• 电流, Idm 脉冲:670A
• 表面安装器件:通孔安装
• 阈值电压, Vgs th :2V
• 阈值电压, Vgs th *高:4V