供应 场效应管IRFR220N原装*

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 200V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5A
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 2.9A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 23nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 300pF @ 25V
 
功率 - *大 43W
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
 
供应商设备封装 D-Pak
 
包装 管件