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结型场效应管深圳市耿城科技有限公司

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场效应管 MOSFET N TO-220 55V 17A
晶体管*性:ñ频道
电流, Id 连续:17A
电压, Vds *大:55V
在电阻RDS（上）:70mohm
电压 @ Rds测量:10V
阈值电压, Vgs th 典型值:4V
功耗, Pd:45W
封装类型:TO-220AB
针脚数:3
SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
功率, Pd:45W
功耗:45W
封装类型:TO-220AB
引脚节距:2.54mm
晶体管数:1
温度 @ 电流测量:25°C
满功率温度:25°C
漏*电流, Id *大值:17A
热阻, 结至外壳 A:3.3°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
电压, Vds ?1?7?1?7型值:55V
电压, Vgs *高:4V
电流, Idm 脉冲:68A
表面安装器件:通孔安装
针脚格式:1 g
2 d/tab

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFZ24N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷