供应 IC 芯片FQPF6N60C原装*

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市耿城科技有限公司

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类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5.5A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 2 欧姆 @ 2.75A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 810pF @ 25V
 
功率 - *大 40W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220F
 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

FQPF6N60C

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型