AP18T10GH TO-252

地区:广东 深圳
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N-MOSFET, VDS=100V, ID=9A, TO-252,

160mΩ@VGS=10V,ID=5A,

 

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品牌

LT/凌特

型号

AP18T10GH TO-252

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1~3(V)

夹断电压

100(V)

跨导

4000000(μS)

*间电容

450(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

9000(mA)

耗散功率

2500(mW)