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AP18T10GH TO-252

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市澜腾达科技有限公司

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N-MOSFET, VDS=100V, ID=9A, TO-252,

160mΩ@VGS=10V,ID=5A,

 

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品牌

LT/凌特

型号

AP18T10GH TO-252

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1~3（V）

夹断电压

100（V）

跨导

4000000（μS）

*间电容

450（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

9000（mA）

耗散功率

2500（mW）