场效应管 IRF3704ZCS / IRF3704ZCSTRRP / F3704ZCS

地区:广东 深圳
认证:

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IRF3704ZCS中文资料:

 

制造商

International Rectifier

制造商*件编号

IRF3704ZCSTRRP

描述

MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

7.9毫欧 @ 21A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

20V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

67A

Id时的 Vgs(th)(*大)

2.55V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

13nC @ 4.5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

1220pF @ 10V

功率 - *大

57W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)


公司照片:









 

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF3704ZCS

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

2.55(V)

*间电容

1220(pF)

漏*电流

67,000(mA)

耗散功率

57,000(mW)