场效应管 HUF75307D3ST / HUF75307D3 / HUF75307
地区：广东 深圳
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HUF75307D3ST中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商*件编号 | HUF75307D3ST |
描述 | MOSFET N-CH 55V15ADPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | UltraFET™ |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 标准型 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 90毫欧@15A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 55V |
电流-连续漏*(Id) @ 25° C | 15A |
Id时的Vgs(th)（*大） | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 20nC @ 20V |
在Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
功率-*大 | 45W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 | D-Pak |
包装 | 带卷(TR) |
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FAIRCHILD/*童
HUF75307D3ST 55V 15A
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
4（V）
250（pF）
15,000（mA）
45,000（mW）
