场效应管 FDD6030L / FDD6030BL / FDD6030 / 6030L
地区：广东 深圳
认证：
无
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FDD6030L中文资料：
制造商 | Fairchild Semiconductor |
制造商*件编号 | FDD6030L |
描述 | MOSFET N-CH 30V 12A DPAK |
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET -单路 |
系列 | PowerTrench® |
FET型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET特点 | 逻辑电平门 |
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C | 14.5毫欧 @ 12A, 10V |
漏*至源*电压(Vdss) | 30V |
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C | 12A |
Id时的 Vgs(th)（*大） | 3V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 28nC @ 5V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) | 1230pF @ 15V |
功率 - *大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3, DPak (2引线+接片), SC-63 |
供应商设备封装 | TO-252 |
包装 | 带卷 (TR) |
公司照片：
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FAIRCHILD/*童
FDD6030L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
S/开关
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
3（V）
1230（pF）
12,000（mA）
1,500（mW）
