东芝代理 原装现货 TK11A45D

地区:上海
认证:

上海琼创电子科技有限公司

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属性条件
部件型号TK11A45D 
*性N沟 
漏源电压VDSS450 V 
漏电流ID11 A 
漏功耗PD40 W 
门电荷总数Qg(nC) (标准)20 
漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=10V0.62 Ω 
封装TO-220SIS 
管脚数3 
表面安装型N 
产品分类功率MOSFET (N沟 250V<VDSS≦500V) 
装配基础日本, 马来西亚 
RoHS Compatible Product(s) (#)Available 

 

 
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

TK11A45D

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

夹断电压

1(V)

跨导

1(μS)

*间电容

1(pF)

低频噪声系数

1(dB)

漏*电流

1(mA)

耗散功率

1(mW)