12+深圳公司现货IR功率MOS管SOP-8原装IRF7465TRPBF场效应管

地区:广东 深圳
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SMPSMOSFET
HEXFET®功率MOSFET

VDSS RDS(on) max ID
 150V0.28?@VGS= 10V 1.9A


参数

FET 类型 FET 功能 漏源*电压 (Vdss) 电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)  功率 - *大值
MOSFET N 通道,金属氧化物 标准 150V 1.9A 280 毫欧 @ 1.14A,10V 5.5V @ 250µA 15nC @ 10V 330pF @ 25V 2.5W

 



应用

频率DC-DC转换

优点
低栅*漏*电荷减少
 开关损耗
充分界定电容包括
*COSS简化设计(见
 应用程序。AN1001)
充分界定雪崩电压
 和电流


















材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRF7465TRPBF

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

SW-REG/开关电源

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

功率 - 值

2.5W

电流 - 连续漏*

1.9A

漏源*电压 (Vdss)

150V