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产品属性
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参数
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏* (Id)(25° C 时) 13A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(*大值) 10 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)2.25V @ 25µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 14nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1210pF @ 15V
功率 - *大值 2.5W
应用
控制FET用于笔记本电脑的处理器
功率
控制和同步整流器
MOSFET的图形卡和POL
在电脑,网络转换器
和电信系统
优点
*栅*阻*
*低的RDS(ON)
充分界定雪崩电压
和电流
100%测试RG
无铅
封装图片展示
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF7413ZTRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
S/开关
N沟道
增强型
2.5W
13A
30V