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产品属性
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30V N沟道PowerTrenchSyncFET™
应用
DC / DC变换器
电机驱动器
概述
FDS6690S被设计来取代单一的SO-8
MOSFET和肖特基二*管同步DC:DC
电源供应器。这30VMOSFET的设计
*大限度地*电源转换效率,提供了一个低
RDS(ON)和低栅*电荷。FDS6690S包括:
集成肖特基二*管采用飞兆半导体
单片SyncFET技术。的性能
在一个同步的作为低压侧开关的FDS6690S
整流器是接近的性能FDS6690A
平行的肖特基二*管。
特点
·10 A,30 V的RDS(ON)=0.016W @VGS= 10 V
RDS(ON)=0.024W @VGS= 4.5 V
·包括SyncFET肖特基二*管
·低栅*电荷(11nC典型)
·*沟道技术*低
RDS(ON)
高功率和电流处理能力
图片展示
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
FDS6690S
SMD(SO)/表面封装
FAIRCHILD/*童
S/开关
N沟道
增强型
10A
30V
MOSFET N 通道,金属氧化物