现货供应IKW25N120T2英飞凌原装IGBT
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| 品牌：INFINEON/英飞凌 | 型号：IKW25N120T2 | 种类：结型(JFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：L/功率放大 |
| 材料：N-FET硅N沟道 |
型号：IKW25N120T2
饱和压降Vce(sat):1.7V
Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 50A/25A
电流：25A
电压：1200V
封装：TO-247
包装：30PCS/管，240PCS/盒
特点：
☆*大工作结温可达Tjmax≤150℃
☆正温被系数饱和压降易于并联
☆内置反并联软、快恢复（Emcon）*二*管
☆采用沟槽栅+电场终止层（Field s*）IGBT工艺技术
☆TO-247封装易于安装
用途：变频器、逆变器、UPS电源、EPS电源、开关电源、电机控制、电焊机
英飞凌*原装，品质*，价格优势，欢迎来电洽谈！
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