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产品属性
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品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:IKW20N60T | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:FM/调频 |
封装外形:CHIP/小型片状 | 材料:N-FET硅N沟道 |
Infineon(英飞凌)是原西门子半导体集团股票*上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的*产品。西门子在**推出NPT-IGBT,具有高*、*的*优性能价格比。IGBT 芯片产量*,当今*每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不*生产IGBT芯片,还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二*管等;IGBT模块、可控硅等归属于其100%子公司――EUPEC生产。
一、
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Infineon高频600V IGBT2优质单管(硬开关频率fK≤150KHZ)
D PAK封装 型号 | SKB06N60HS | SKB10N60HS | SKB15N60HS |
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参数 Tc=100℃ | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V |
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TO-247封装 型号 | SKW20N60HS | SKW30N60HS |
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参数 Tc=100℃ | 20A/600V | 30A/600V |
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☆开关频率可*150KHz(硬开关) ☆可替代许多MOSFET应用领域 ☆内置Emcon快恢复二*管
二、 Infineon快速型1200V IGBT2优质单管(硬开关频率≤50KHZ)
TO-247封装 型号 | SKW07N120 | SKW15N120 | SKW25N120 |
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参数 Tc=100℃ | 7.9A/1200V | 15A/1200V | 25A/1200V |
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☆开关频率可达50KHz(硬开关) ☆内置Emcon快恢复二*管
英飞凌(Infineon)“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术,NPT-IGBT优质单管具有:
◆正温度系数饱和压降,易于并联,具有类MOSFET特性。◆参数离散性小,便于批量生产。◆开关速度快,高频特性好。
◆拖尾电流小,且随温度增加不明显增加高温特性优异。 ◆无锁定效应,过载能力强,*性高。
三、
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Infineon 600V低饱和压降型IGBT3单管(硬开关频率fK≤50KHZ)
D PAK封装 型号 | IKB04N60T | IKB06N60T | IKB10N60T | IKB15N60T | IKB20N60T |
参数 Tc=100℃ | 4A/600V | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V | 20A/600V |
TO-220Full 型号 | IKA06N60T | IKA10N60T | IKA15N60T |
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参数 Tc=100℃ | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V |
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TO-220封装 型号 | IKP06N60T | IKP10N60T | IKP15N60T | IKP20N60T |
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参数 Tc=100℃ | 6A/600V | 10A/600V | 15A/600V | 20A/600V |
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TO-247封装 型号 | IKW20N60T | IKW30N60T | IKW50N60T | IKW75N60T |
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参数 Tc=100℃ | 20A/600V | 30A/600V | 50A/600V | 75A/600V |
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☆TC=25℃ VCE(sat)=1.50V ☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)*二*管
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field s*)IGBT工艺技术 ☆*性高,高温性能稳定,特性优异,具有*优的性能价格比
四、 Infineon 1200V低饱和压降型IGBT3单管(硬开关频率fK≤20KHZ)
TO-247封装 型号 | IKW08T120/T2 | IKW15T120/T2 | IKW25T120/T2 | IKW40T120/T2 |
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参数 Tc=100℃ | 8A/1200V | 15A/1200V | 25A/1200V | 40A/1200V |
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☆TC=25℃ VCE(sat)=1.70V ☆正温被系数饱和压降易于并联 ☆TO-247封装易于安装
TM |
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field s*)IGBT工艺技术 ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)*二*管
英飞凌*原装,品质*,价格优势,欢迎来电洽谈!
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