原装德国英飞凌IGBT单管

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品牌：INFINEON/英飞凌	型号：IKW20N60T	种类：结型(JFET)
沟道类型：N沟道	导电方式：增强型	用途：FM/调频
封装外形：CHIP/小型片状	材料：N-FET硅N沟道

Infineon（英飞凌）是原西门子半导体集团股票*上市公司。功率半导体一直是西门子半导体的*产品。西门子在**推出NPT-IGBT，具有高*、*的*优性能价格比。IGBT 芯片产量*，当今*每三片IGBT芯片就有一片是英飞凌生产的。英飞凌不*生产IGBT芯片，还生产各种封装形式的IGBT单管、快恢复二*管等；IGBT模块、可控硅等归属于其100％子公司――EUPEC生产。

一、

Infineon高频600V IGBT2优质单管（硬开关频率fK≤150KHZ）

D PAK封装型号	SKB06N60HS	SKB10N60HS	SKB15N60HS
参数 Tc=100℃	6A/600V	10A/600V	15A/600V
TO-247封装型号	SKW20N60HS	SKW30N60HS
参数 Tc=100℃	20A/600V	30A/600V

☆开关频率可*150KHz（硬开关） ☆可替代许多MOSFET应用领域 ☆内置Emcon快恢复二*管

二、 Infineon快速型1200V IGBT2优质单管（硬开关频率≤50KHZ）

TO-247封装型号	SKW07N120	SKW15N120	SKW25N120
参数 Tc=100℃	7.9A/1200V	15A/1200V	25A/1200V

☆开关频率可达50KHz（硬开关） ☆内置Emcon快恢复二*管

英飞凌（Infineon）“SKW”系列均采用NPT-IGBT技术，NPT-IGBT优质单管具有：

◆正温度系数饱和压降，易于并联，具有类MOSFET特性。◆参数离散性小，便于批量生产。◆开关速度快，高频特性好。

◆拖尾电流小，且随温度增加不明显增加高温特性优异。 ◆无锁定效应，过载能力强，*性高。

三、

Infineon 600V低饱和压降型IGBT3单管（硬开关频率fK≤50KHZ）

D PAK封装型号	IKB04N60T	IKB06N60T	IKB10N60T	IKB15N60T	IKB20N60T
参数 Tc=100℃	4A/600V	6A/600V	10A/600V	15A/600V	20A/600V
TO-220Full 型号	IKA06N60T	IKA10N60T	IKA15N60T
参数 Tc=100℃	6A/600V	10A/600V	15A/600V
TO-220封装型号	IKP06N60T	IKP10N60T	IKP15N60T	IKP20N60T
参数 Tc=100℃	6A/600V	10A/600V	15A/600V	20A/600V
TO-247封装型号	IKW20N60T	IKW30N60T	IKW50N60T	IKW75N60T
参数 Tc=100℃	20A/600V	30A/600V	50A/600V	75A/600V

☆TC=25℃ VCE（sat）=1.50V ☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃ ☆内置反并联软、快恢复（Emcon）*二*管

☆采用沟槽栅+电场终止层（Field s*）IGBT工艺技术 ☆*性高，高温性能稳定，特性优异，具有*优的性能价格比

四、 Infineon 1200V低饱和压降型IGBT3单管（硬开关频率fK≤20KHZ）

TO-247封装型号	IKW08T120/T2	IKW15T120/T2	IKW25T120/T2	IKW40T120/T2
参数 Tc=100℃	8A/1200V	15A/1200V	25A/1200V	40A/1200V

☆TC=25℃ VCE（sat）=1.70V ☆正温被系数饱和压降易于并联 ☆TO-247封装易于安装

☆采用沟槽栅+电场终止层（Field s*）IGBT工艺技术 ☆内置反并联软、快恢复（Emcon）*二*管

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