原装英飞凌IGBT单管IKW15N120T2
地区:北京 北京
认证:
无
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产品属性
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品牌:INFINEON/英飞凌 | 型号:IKW15N120T2 | 种类:结型(JFET) |
沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 |
材料:N-FET硅N沟道 |
型号:IKW15N120T2
15A 1200V 英飞凌IGBT 30PCS/管 240PCS/盒
Tc = 25℃/100℃ 时 Ic = 30A/15A;
VCE(sat)= 1.70V;
特点:
☆*大工作结温可达Tjmax≤175℃
☆正温被系数饱和压降易于并联
☆内置反并联软、快恢复(Emcon)*二*管
☆采用沟槽栅+电场终止层(Field s*)IGBT工艺技术
☆TO-247封装易于安装
英飞凌*原装,品质*,价格优势,欢迎来电洽谈!
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