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东芝代理供应2SD2012

地区：上海 上海
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品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SD2012(F,M)
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频)
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT*缘栅比*
开启电压 4（V） 夹断电压 5（V）
跨导 3（μS） *间电容 4（pF）
低频噪声系数 6（dB） *大漏*电流 2（mA）
*大耗散功率 4（mW）

品牌

TOS日本东芝

型号

2SD2012(F,M)