东芝代理,现货供应,2SK211
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产品属性
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| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK211-Y |
| 种类 | *缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 4（V） | 夹断电压 | 30（V） |
| 跨导 | 1（μS） | *间电容 | 7（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | *大漏*电流 | 3（mA） |
| *大耗散功率 | 9（mW） |
| 型号 | 2SK211 | |
| *性 | N沟 | |
| 门漏电压VGDO | -18 V | |
| 门电流IG | 10 mA | |
| 漏*电流IDSS, max | 10 mA | |
| 漏*电流IDSS, min | 1 mA | |
| 漏功耗PD | 150 mW | |
| 正向传输导纳|Yfs|, t* | 9 mS | |
| 封装 | S-Mini(2.9 x.2.5) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 表面安装型 | Y | |
| 用途 | FM高频放大 | |
| 类似器件(MINI) | 2SK161 | |
| 产品分类 | 高频结型FET |
TOS日本东芝
2SK211-Y
