供应11N80C3(图)

地区:广东 汕头
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品牌

ISI英国英特锡尔

型号

11N80C3

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

800(V)

夹断电压

1000(V)

低频跨导

12(μS)

*间电容

10(pF)

低频噪声系数

20(dB)

漏*电流

11(mA)

耗散功率

150(mW)