供应RFP70N06(图)

地区:广东 汕头
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品牌/商标

HAR美国哈里斯半导体

型号/规格

RFP70N06

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

60(V)

夹断电压

80(V)

跨导

12(μS)

*间电容

20(pF)

低频噪声系数

2(dB)

漏*电流

70(mA)

耗散功率

125(mW)