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一、工控用贴片二*管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电* (Ic)(*大): 200mA
电压 - 集电*发射*击穿(*大): 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(*大): 300mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V
功率 - *大: 227mW
频率 - 转换; 300MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-923F
供应商设备封装: SOT-923F
包装: 剪切带 (*)
二、二*管的特性曲线:
与PN结一样,二*管具有单向导电性。硅二*管典型伏安特性曲线。在二*管加有正向电压,当电压值较小时,电流*小;当电压*过0.6V时,电流开始按指数规律*,通常称此为二*管的开启电压;当电压*约0.7V时,二*管处于*导通状态,通常称此电压为二*管的导通电压,用*号UD表示。对于锗二*管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。
在二*管加有反向电压,当电压值较小时,电流*小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压*过某个值时,电流开始急剧*,称之为反向击穿,称此电压为二*管的反向击穿电压,用*号UBR表示。不同型号的二*管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
M*T3904
中光
SOT-23
无铅*型
贴片式
卷带编带包装