供应平面型贴片二*管*，优质*平面型贴片二*管

一、平面型贴片二*管参数：

　　晶体管类型: NPN
　　电流 - 集电* (Ic)（*大）: 200mA
　　电压 - 集电*发射*击穿（*大）: 40V
　　Ib、Ic条件下的Vce饱和度（*大）: 300mV @ 5mA, 50mA
　　电流 - 集电*截止（*大）: -
　　在某 Ic、Vce 时的*小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V
　　功率 - *大: 150mW
　　频率 - 转换: 300MHz
　　安装类型: 表面贴装
　　封装/外壳: SOT-523
　　供应商设备封装: SOT-523
　　包装: 带卷 (TR)

二、平面型贴片二*管雪崩击穿：
　　另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。

　　设备展示：

　　公司简介：

　　常州市中光电器有限公司地处中国制造业蓬勃发展的江苏省常州市，公司是*的二*管及桥堆生产厂家，下辖常州市中川电子有限公司和安徽中鑫半导体有限公司。常州市中川电子有限公司是以硅片、MOS管为主产品的科技贸易公司；安徽中鑫半导体有限公司于2011年5月在安徽省郎溪经济开发区正式投产，形成了集科工贸一体的股份合作制企业。
公司具备强劲的技术开发能力，*的制造设备、完善的检测手段及*的售后服务，通过了 ISO9001:2000质量体系管理认证、SGS *检测认证及*I认证，从而为客户提供优质的产品和*的服务。
我公司拥有自主品牌"ZG"商标，产品广泛应用于*及民用领域，为国内多家彩电、*灯具、彩电、开关电源、充电器、控制器、音响等生产厂家提供配套服务，并远销欧美及东南亚地区，在客户中取得了良好的信誉。

　　公司目标：
　　为客户提供*的二*管全系列产品是全体员工的*圣使命
　　公司愿景：
　　将公司打造成为国际*的半导体分立器件供应商
　　公司方针：
　　以人为本 顾客至上