Infineon MOS晶体管 BSP295 60V，1.8A，SOT%全...
地区：广东 汕头
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无
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产品属性
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| 典型关断延迟时间 | 27 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 5.4 ns | |
| 典型栅*电荷@Vgs | 14 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 295 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 3.5mm | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 尺寸 | 6.5 x 3.5 x 1.6mm | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| *大功率耗散 | 1.8 W | |
| *大栅源电压 | &plu*n;20 V | |
| *大漏源电压 | 60 V | |
| *大漏源电阻值 | 0.3 Ω | |
| *大连续漏*电流 | 1.8 A | |
| *高工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 双漏*、单 | |
| 长度 | 6.5mm | |
| 高度 | 1.6mm |
2013+
GE-N-FET锗N沟道
*缘栅(MOSFET)
BSP295
SMD(SO)/表面封装
INFINEON/英飞凌
L/功率放大
N沟道
增强型
SOT-223
N
