IR 场效应MOS管 IRFB*0 TO-220AB N沟道，600V，6.2A *原...
地区：广东 汕头
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产品属性
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| 典型关断延迟时间 | 55 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 13 ns | |
| 典型栅*电荷@Vgs | 60 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 1300 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 宽度 | 4.7mm | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 尺寸 | 10.41 x 4.7 x 9.01mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 工作温度 | -55 °C | |
| *大功率耗散 | 125 W | |
| *大栅源电压 | &plu*n;20 V | |
| *大漏源电压 | 600 V | |
| *大漏源电阻值 | 1.2 Ω | |
| *大连续漏*电流 | 6.2 A | |
| *高工作温度 | 150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 10.41mm | |
| 高度 | 9.01mm |
IR/国际整流器
IRFB*0
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
SW-REG/开关电源
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
