VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RE*IFIER - IRF620PBF - 场效应管 MOSFET N TOV 5.2A

 

标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称

1,000

分离式半导体产品

FET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

200V

5.2A

800 毫欧 @ 3.1A, 10V

4V @ 250µA

14nC @ 10V

260pF @ 25V

50W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

深圳科顺龙电子

*IRF620PBF

晶体管*性:ñ频道

• 电流, Id 连续:5.2A
• 电压, Vds *大:200V
• 在电阻RDS（上）:800mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 功耗, Pd:50W
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
• 功率, Pd:50W
• 功耗:50W
• 单脉冲雪崩能量 Eas:160mJ
• 器件标记:IRF620
• ??装类型:TO-220AB
• 封装类型, 替代:SOT-78B
• 引脚节距:2.54mm
• 总功率, Ptot:30W
• 时间, trr 典型值:155ns
• 晶体管数:1
• 温度 @ 电流测量:25°C
• 满功率温度:25°C
• 漏*电流, Id *大值:5.2A
• 热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:200V
• 电压, Vgs *高:20V
• 电容值, Ciss 典型值:350pF
• 电流, Idm 脉冲:18A
• 表面安装器件:通孔安装
• 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:800mohm
• 针脚格式:1G 2 插口 D 3S
• 针脚配置:a
• 阈值电压, Vgs th :2V
• 阈值电压, Vgs th *高:4V
• • RoHS协从产品: 是

  • RoHS协从证明

  品牌

  IR/国际整流器

  型号

  IRF620PBF IRF620

  种类

  *缘栅(MOSFET)

  沟道类型

  N沟道

  导电方式

  增强型

  用途

  MAP/匹配对管

  封装外形

  CER-DIP/陶瓷直插

  材料

  GE-N-FET锗N沟道

  开启电压

  200（V）

  夹断电压

  10（V）

  跨导

  20（μS）

  *间电容

  260（pF）

  低频噪声系数

  4（dB）

  漏*电流

  5.2（mA）

  耗散功率

  50（mW）

  • 电力场效应晶体管

  • 恒泰柯功率MOSFET

  • mosfet引脚

  • 低压mosfet

  • IR全系列MOS 场效应管 IRFBG20PBF IRFBG20 *原装 长期供应

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