IR全系列MOS 场效应管 IRFBG20PBF IRFBG20 *原装 长期供应

数据列表 IRFBG20,SiHFBG20
 
产品相片 TO-220AB PKG
 
产品目录绘图 IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
 
标准包装 1,000
类别 分离式半导体产品 
家庭 FET - 单路 
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 11 欧姆 @ 840mA, 10V
 
漏*至源*电压(Vdss) 1000V (1kV)
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 1.4A
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 4V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 38nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  500pF @ 25V
 
功率 - *大 54W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3
 
供应商设备封装 TO-220AB
 
包装 管件
 
产品目录页面 1483 (CN2010-11 Interactive)
1483 (CN2010-11 PDF)
 
其它名称 *IRFBG20PBF