INTERNATIONAL RE*IFIER - IRFB4610PBF - 场效应管 MOSFET N TOV

晶体管*性:ñ频道

• 电流, Id 连续:73A
• 电压, Vds *大:100V
• 在电阻RDS（上）:11mohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 功耗, Pd:190W
• 封装类型:TO-220
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• 功率, Pd:190W
• 功耗:190W
• 单脉冲雪崩能量 Eas:370mJ
• 封装类型:TO-220 (SOT-78B)
• 封装类型, 替代:SOT-78B
• 引脚节距:2.54mm
• 总功率, Ptot:190W
• 时间, trr 典型值:35ns
• 晶体管数:1
• 温度 @ 电流测量:25°C
• 满功率温度:25°C
• 漏*电流, Id *大值:73A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:100V
• 电压, Vgs *高:20V
• 电容值, Ciss 典型值:3550pF
• 电流, Idm 脉冲:290A
• 表面安装器件:通孔安装
• 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:14mohm
• 针脚格式:1G, (2 Tab)D, 3S
• 针脚配置:a
• 阈值电压, Vgs th :2V
• 阈值电压, Vgs th *高:4V