标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装其它名称

1,000

分离式半导体产品

FET - 单

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

100V

9.2A

270 毫欧 @ 5.5A, 10V

4V @ 250µA

16nC @ 10V

360pF @ 25V

60W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

深圳科顺龙电子

*IRF520PBF

VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RE*IFIER - IRF520PBF - 场效应管 MOSFET N TOV 9.2A

制造商:VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RE*IFIER库存编号:8648239制造商编号:IRF520PBF

 

• 晶体管*性:ñ频道
• 电流, Id 连续:9.2A
• 电压, Vds *大:100V
• 在电阻RDS（上）:270mohm
• 电?? @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 功耗, Pd:60W
• 工作温度范围:-55°C 到 175°C
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
• 功率, Pd:60W
• 功耗:60W
• 封装类型:TO-220AB
• 漏*电流, Id *大值:9.2A
• 热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:100V
• 电压, Vgs *高:20V
• 电流, Idm 脉冲:37A
• 表面安装器件:通孔安装
• • RoHS协从产品: 是

  • RoHS协从证明

  品牌

  IR/国际整流器

  型号

  IRF520PBF IRF520

  种类

  *缘栅(MOSFET)

  沟道类型

  N沟道

  导电方式

  增强型

  用途

  MAP/匹配对管

  封装外形

  CER-DIP/陶瓷直插

  材料

  GE-N-FET锗N沟道

  开启电压

  100（V）

  夹断电压

  4（V）

  跨导

  20（μS）

  *间电容

  270mohm（pF）

  低频噪声系数

  5（dB）

  漏*电流

  9.2A（mA）

  耗散功率

  60W（mW）

  • 低压mosfet

  • 恒泰柯功率MOSFET

  • mosfet型号

  • mosfet场效应管

  • 场效应管 IRF640NS 200V18A IR **原装

  • 原装长期现货供应 STP80NF70 (代替STP75NF75)

  • 原装现货 IR 场效应管(MOSFET) IFRP260NPBF IFRP260N

  • K10A60D/TK10A60D 600V10A45W TO220场效应管 TOSHIBA **

  • L3715Z IRL3715Z IRL3715ZPBF IR 场效应管 20V50A **

  • 分销IR全系列场效应管 IRFZ44NPBF